Module de puissance diode module thyristor 2MBI400XHA170-50 pour semi-conducteur

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Description de Module de puissance diode module thyristor 2MBI400XHA170-50 pour semi-conducteur

Analyse technique du semi-conducteur 2MBI400XHA170-50

Le segment de l'électronique de puissance exige des composants d'une précision absolue. Le module de puissance diode module thyristor 2MBI400XHA170-50 répond précisément à ces critères de sélection stricts pour la maintenance et la conception de systèmes électriques complexes.

Architecture et caractéristiques électriques

Ce module combine des diodes de récupération rapide et des structures thyristors adaptées aux courants intenses. Sa configuration permet une gestion bidirectionnelle ou de redressement selon le schéma de câblage adopté par les ingénieurs réseau.

Tableau des paramètres électriques estimés

ParamètreSpécification technique
Code d'identification2MBI400XHA170-50
Technologie de puceTranchée IGBT / Diode combinée
Courant collecteur maximal400 A
Tension collecteur-émetteur1700 V
Température de jonctionJusqu'à 150 degrés Celsius

Compatibilité systémique

Ce bloc de puissance est couramment utilisé comme pièce de rechange critique ou composant de première monte dans :

  1. Les armoires de distribution d'énergie renouvelable (éolien et solaire)
  2. Les systèmes de traction électrique et de transport lourd
  3. Les générateurs de soudage industriel haute fréquence

La structure isolée du boîtier permet un montage direct sur dissipateur thermique avec plusieurs modules en parallèle, facilitant ainsi l'évolutivité de vos réseaux électriques.

Détails

OPC s3_CB0GY9G1XJ8
Référence produit s3_CB0GY9G1XJ8
Marque
Prix 79,99 €
Prix habituel 364,55 €
Remise 78%
Note 4.5 / 5.0
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Avis sur Module de puissance diode module thyristor 2MBI400XHA170-50 pour semi-conducteur

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Avis le mieux noté
5/5
J. Mclachlan
Publié le 13/10/2026
Vendu par EXTREME MOBILE LTD
Je suis ravi de mon achat, le produit est superbe.
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