Module IGBT double MG150J2YS45 composant électronique pour commutation rapide

Structure interne et intégration du module de puissance

Ce module MG150J2YS45 appartient à la catégorie des semi-conducteurs de puissance montés en boîtier hermétique. Il combine deux transistors IGBT avec des diodes de roue libre rapides pour une protection contre les inversions de polarité.

Détails de la configuration électronique

La configuration interne permet de réaliser un bras de pont complet, structure de base pour la majorité des convertisseurs de fréquence et des redresseurs modernes.

Spécifications de montage

1. Nettoyer la surface du dissipateur thermique avant application de la pâte thermique.
2. Fixer le module en respectant le couple de serrage recommandé pour éviter les contraintes mécaniques.
3. Raccorder les bornes de puissance à l'aide de vis adaptées pour limiter la résistance de contact.

L'utilisation de ce type de boîtier standardisé simplifie grandement la conception des circuits imprimés de forte puissance en séparant la partie commande de la partie puissance.