Module thyristor 2MBI450XNA170-50 semi-conducteur IGBT double

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Description de Module thyristor 2MBI450XNA170-50 semi-conducteur IGBT double

Intégration du module de puissance 2MBI450XNA170-50

Conçu pour les applications de forte puissance, le module de puissance module thyristor 2MBI450XNA170-50 structure les systèmes de redressement et d'inversion de courant. Sa technologie d'isolement interne entre les puces de silicium et la semelle métallique garantit une sécurité d'utilisation optimale pour l'opérateur. Ce choix technique prévient les arcs électriques de forte intensité au sein des installations de distribution d'énergie.

Fiche de performance du composant

Courant nominal de crête900 A
Tension d'isolation efficace4000 V CA (pendant 1 minute)
Résistance thermique jonction-boîtier0,045 degré Celsius par Watt
Type de boîtierModule standard étanche

Usage en environnement sévère

Ce module thyristor supporte des conditions d'exploitation difficiles, y compris les vibrations mécaniques des lignes de production automatisées. Son boîtier hermétique protège les puces internes contre la poussière conductrice et l'humidité ambiante, maintenant des performances de commutation constantes au fil des années d'utilisation intensive.

Détails

OPC s3_EB0GXPW14X6
Référence produit s3_EB0GXPW14X6
Marque
Prix 79,99 €
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Avis le mieux noté
5/5
J. Mclachlan
Publié le 13/10/2026
Vendu par EXTREME MOBILE LTD
Je suis ravi de mon achat, le produit est superbe.
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